סמסונג הודיעה כי היא תייצר שבבים של 11 ננומטר לטלפונים הדור הבא שלהם בטכנולוגיות מתקדמות ובינוניות. טכנולוגיית תהליכי FinFET בת 11 ננומטר זו היא תהליך צריכת חשמל נמוכה פלוס (LPP) המהווה גרסה מוקטנת של תהליך ה- LPP הקודם 14nm ששימש בסנאפדרגון 625 ו -630.
סמסונג כבר השתמשה בתהליך FinFET 10nm עבור מעבדי הסדרה Exynos 9 שלה. אבל, הוא שימש רק בסמארטפוני דגל פרימיום. כעת, החברה מצפה שתהליך 11nm החדש יגשר על הפער בין טלפונים חכמים לטווח בינוני.
יש לציין כי שטח השבבים יופחת ב -10% בהשוואה לתהליך 14nm. מה שאומר שעלות הייצור של שבבים תיפול וכך ניתן להוסיף אותה גם למכשירים בינוניים. הטכנולוגיה החדשה 11nm מבטיחה ביצועים דחופים של עד 15% עם אותה צריכת חשמל כמו תהליך 14nm. ערכות השבבים הראשונות של 11 ננומטר אמורות לצאת במחצית הראשונה של 2018.
יתר על כן, טלפוני הפרימיום של סמסונג בשנה הבאה ישתמשו בשבבי ה- LPP החדשים 7nm שנבנו עם ליטוגרפיה Extreme Ultra Violet (EUV).
' סמסונג הוסיפה את תהליך 11nm למפת הדרכים שלנו כדי להציע אפשרויות מתקדמות ליישומים שונים. באמצעות זאת, סמסונג השלימה מפת דרכים מקיפה של תהליכים המשתרעת בין 14 ננומטר ל -11 ננומטר, 10 ננומטר, 8 ננומטר ו -7 ננומטר בשלוש השנים הבאות. ', אמר ריאן לי, סגן נשיא וראש שיווק יציקה בחברת סמסונג אלקטרוניקה.
עוד יצרנית ערכת שבבים סלולרית גדולה קוואלקום עובד גם על מעבד הדגל הבא שלו, ה- Snapdragon 845 שישתמש בתהליך 7nm. מעניין שזה היה דיווח כי סמסונג שמרה את המנה הראשונה של ערכות השבבים Snapdragon 845 לספינות הדגל הבאות גלקסי S9 ו- S9 +.
בהגיעו לתהליך 11nm שהוכרז לאחרונה על ידי סמסונג, הוא ישמש ככל הנראה במעבדי Exynos הפנימיים של סמסונג. פרטים נוספים על העדכון האחרון אודות טכנולוגיה חדשה ייחשפו במהלך פורום היציקה הבא של סמסונג המתוכנן ב -15 בספטמבר 2017, בטוקיו, יפן. מלבד זמינות ערכת השבבים 11LPP, החברה תפרט גם את פיתוח ה- EUV בגודל 7 ננומטר.
תגובות בפייסבוק
